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三星投入1,160亿美元冲刺3纳米 2022年量产

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  • 发布时间:2020-11-18 14:56
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【概要描述】三星全力发展晶圆代工业务,规划投入1,160亿美元(约新台币3.3兆元),目标3纳米制程2022年量产,与台积电同步,是两强近年先进制程竞逐赛中,最接近的一次。业界关注,若三星发展3纳米进程顺利并提升良率,与台积电的抢单大战也将随之引爆。

三星投入1,160亿美元冲刺3纳米 2022年量产

【概要描述】三星全力发展晶圆代工业务,规划投入1,160亿美元(约新台币3.3兆元),目标3纳米制程2022年量产,与台积电同步,是两强近年先进制程竞逐赛中,最接近的一次。业界关注,若三星发展3纳米进程顺利并提升良率,与台积电的抢单大战也将随之引爆。

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据彭博报道,三星全力发展晶圆代工业务,规划投入1,160亿美元(约新台币3.3兆元),目标3纳米制程2022年量产,与台积电同步,是两强近年先进制程竞逐赛中,最接近的一次。业界关注,若三星发展3纳米进程顺利并提升良率,与台积电的抢单大战也将随之引爆。

对于相关报导,台积电昨(17)日表示,不评论竞争对手。不过,在技术上,先前台积电已设定的技术蓝图,目前计划并未改变。台积电因先进制程领先,独揽苹果处理器代工大单,并囊括高通、联发科、AMD、英伟达等大厂高端芯片订单,三星虽然努力追赶,但在高阶制程订单斩获仍有限。

业界人士指出,三星集团近期动作频频,除了上周甫发表采用自家5纳米制程生产的5G芯片,本周又积极宣传3纳米技术蓝图,公司密集发布消息,宣示性意味浓厚。台积电在7纳米与5纳米顺利量产至逐步放量都领先三星约两年。台积电先进制程量产计划早已底定,在持续扩展5纳米制程基础上,推出增强版的4纳米制程,预订2021年第4季风险试产,2022年投入量产。同时也着手3纳米研发,目标2021年试产,2022年下半年量产。

台积电总裁魏哲家在今年10月法说会上提到,台积电3纳米制程采用FinFET(鳍式场效电晶体)架构,以提供客户最成熟、同时效能和成本最佳的技术选项,看好3纳米制程推出后,将具备最佳的PPA(效能、功耗及面积),并为最先进的制程技术。彭博报导,三星晶圆代工部门高层主管在一场未对外公开的活动上,对出席者表示,三星将在2022年量产3纳米芯片。

三星这个先前未曾曝光的目标,代表在台积电预期将于2021年试产3纳米、2022年投入量产之际,三星也努力开始要撼动晶圆代工产业,希望能争取到与台积电一样,在2022年量产3纳米,若成局,将是三星与台积电近年先进制程竞逐赛当中,双方最接近的一次。

彭博报导,三星电子晶圆代工设计部门执行副总裁朴在弘(音译)当时说,三星正与重要合作伙伴开发初始设计工具。如果三星成功,对于该公司的远大目标将是一大突破。三星期望借由采用环绕闸极技术(Gate-All-Around;GAA)来精进制程,该技术和台积电3纳米采用FinFET不同。

韩国仁荷大学材料科学与工程教授崔林诺(音译)表示:“三星非常迅速地追赶台积电,并且寻求借由首度采用新技术来迈向主导地位。然而,如果三星无法在初期阶段快速改善先进节点的生产良率,可能会亏钱。”

 

 

 

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