
姓名:杨富华
职称:研究员
单位:中科院半导体研究所
研究方向:传感器与功能器件
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教育背景
1979.09-1983.07 南开大学物理系 固体物理 学士
1993.10-1998.8 法国Paul Sabatier大学物理系 凝聚态物理 博士
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工作经历
1983.8-1993.9 中国科学院半导体研究所 助理研究员
1998.9-2001.8 中国科学院半导体研究所 室副主任/副研究员
2001.9-2004.3 中国科学院半导体研究所 室副主任/研究员
2004.4-2014.5 中国科学院半导体研究所 集成中心主任/研究员
2014.6-2021.5 中国科学院半导体研究所 副所长
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主要学术贡献(包括主要论文、获奖情况)
在2004-2014作为半导体所集成技术研究中心的主任,主要负责了大型设备的调研、选型以及其他配套设备的方案确定,参与了集成技术研究中心的整体建设,带领中心朝气蓬勃的技术团队发展了专业化和集成化的半导体工艺和表征测试技术,开展了所内外广泛的科研合作,得到了同行专家的肯定和认可。
(1)承担并完成了973项目中的课题“单光子红外探测技术”,测试系统可以进行变温、变光强、变频等系列测量,实现了单光子红外探测。
(2)承担并完成了863项目“基于共振隧穿二极管的多值量化器超高速集成电路”,在国内首次实现了GaAs基RTD/HEMT多值量化器集成电路工作频率大于 1GHz,InP基RTD/HEMT多值量化器集成电路工作频率大于10GHz。
(3)负责并完成了863重大项目“130lm/W半导体白光照明集成技术研究”项目,实现了具有正装、倒装和垂直结构的Si、GaN和Sapphire基的GaN LED芯片多种技术路线研发能力。
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学会、社团兼职情况
2010年-现在 中国微米纳米技术学会纳米技术分会常务理事 副所长/研究员
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