2020年3月30日，法国巴黎纳米科学与技术中心（C2N）、意法半导体公司（STME）和格勒诺布尔公司（CLG）等开发了一种可兼容CMOS的锗¬锡半导体激光器，效率可与传统砷化镓半导体激光器相媲美，向激光器与硅芯片的直接集成又前进了一步。相关资料《Ultra-low-threshold continuous-wave and pulsed lasing in tensile-strained GeSn alloys》。

图例为 在氮化硅和铝构成的“应力层”上涂覆几微米厚的锗¬锡层，在氮化硅晶格的定向作用下，可以获得光学放大效果。

能够与硅基CMOS技术兼容的电泵浦激光器将是理想的硅光子光源。间接带隙半导体硅不适合作为激光器材料，一般选择III-V族化合物半导体，然而其晶格结构与硅完全不同。因此，激光器通常只能先在其它晶片上制造，再进行集成，导致成本激增。相比之下，锗¬锡激光器可以直接用CMOS工艺制造。早在2015年，德国尤里希研究中心（FSJ）的研究人员证实锗¬锡系统可以实现激光发射，而且锡含量是影响激光器性能的决定性因素。从本质上讲，纯锗是一种与硅类似的间接带隙半导体，而锡使其转变为可制造激光源的直接带隙半导体。

FSJ开发的外延生长工艺技术已经被全球多个研究小组所采用。通过进一步提高锡含量，激光器已经能够在0℃下工作。然而，锡含量过高又会降低激光效率。

而C2N等为了使激光器具有相对较高的泵浦功率，通过增加材料应力来弥补锡含量降低导致的性能损失。通过优化锡含量和泵浦功率，激光器产生的余热非常少，成为第一款可工作于脉冲或连续波状态下的IV族半导体激光器。（王振摘编自激光世界网）

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