在纳米光刻中，通过以多层方式在硅晶片上曝光光致抗蚀剂来制造半导体器件。这就要求以小于纳米的精度来定位（“对准”）晶片，以确保各层之间的垂直互连起作用。晶圆对准通常是通过测量在Si晶圆上管芯之间的划片道上刻蚀的光栅的光学衍射来完成的。当晶圆位置沿光栅波矢的方向变化时，从这些光栅衍射的光束的相位会发生变化。

通过测量这些变化，可以准确地确定晶片的（相对）位置。然而，在制造过程中，当这些光栅被不透光或仅透光的部分材料覆盖时，对准变得很困难。考虑到半导体制造工业中趋向于朝着具有窄线宽的较小周期对准光栅的趋势，该对准光栅占据了更少的晶片空间，因此检测线宽窄得多的埋入式光栅的技术变得越来越重要。

近日，来自荷兰阿姆斯特丹科学园纳米光刻高级研究中心的V. Verrina等人报道了使用超高频光声技术检测线宽窄至75nm的光栅，这些光栅埋在光学不透明的金属层下面。

他们的结果表明，可以通过观察来自玻璃/金属界面处的埋入式光栅的空间周期性声学复制品和玻璃基板内部的声波复制品的衍射来检测出埋入式光栅。测得的衍射信号显示出与光栅占空比的线性关系，而不是预期的二次信号。他们发现这是由于存在一个相干背景光场，它干扰并相干地放大了从光栅形声波中衍射出来的较弱的场。

他们的测量结果表明，超高频光声技术对于检测亚波长周期性纳米结构具有光明的前景。相关研究工作发表在《Applied Physics Letters》上。